??霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率?σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱，故特別稱(chēng)為霍爾遷移率。? 表示為μH =│RH│σ。?12

霍爾遷移率μH實(shí)際上不一定等于載流子的電導(dǎo)遷移率μ，因?yàn)檩d流子的速度分布會(huì)影響到電導(dǎo)遷移率，所以只有在簡(jiǎn)單情況（不考慮速度分布）下才有μH = μ。

霍爾遷移率是測(cè)試射頻氮化鎵芯片使用。“碳化硅的電子遷移率是900，碳化硅MOSFET的溝道遷移率是50，體遷移率是1000" 看到這樣的介紹，或許你非常疑惑，為什么同一種材料中有這么多的遷移率？我們?cè)诼?tīng)講座或者看相關(guān)文獻(xiàn)的時(shí)候，也經(jīng)常會(huì)遇到不同的遷移率：霍爾遷移率，漂移遷移率，溝道遷移率，體遷移率等等。這里，就讓我來(lái)為大家具體分析一下這些不同的遷移率。大體上來(lái)說(shuō)，遷移率的概念可以分為三種：1. 最基礎(chǔ)的遷移率定義（microscopic mobility）; 2. 體材料里的遷移率（根據(jù)不同的測(cè)試方法得出不同的遷移率名稱(chēng)）； 3. 晶體管中的遷移率。